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Paralelización del modelo Híbrido Clásico-Cuántico para un Dispositivo Semiconductor Mosfet Nanométrico

dc.creatorSalas Huertas, Oscar
dc.creatorLanucara, Piero
dc.creatorPietra, Paola
dc.creatorRovida, Sergio
dc.creatorSacchi, Giovanni
dc.date.accessioned2015-05-19T18:59:45Z
dc.date.available2015-05-19T18:59:45Z
dc.date.issued2011-07-26 00:00:00
dc.identifier.citationhttp://revistas.ucr.ac.cr/index.php/matematica/article/view/2096
dc.identifier.issn
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10669/12997
dc.description.abstractThe expensive reengineering of the sequential software and the difficult parallel programming are two of the many technical and economic obstacles to the wide use of HPC. We investigate the chance to improve in a rapid way the performance of a numerical serial code for the simulation of the transport of a charged carriers in a Double-Gate MOSFET. We introduce the Drift-Diffusion-Schrödinger-Poisson (DDSP) model and we study a rapid parallelization strategy of the numerical procedure on shared memory architectures.
dc.description.abstractEl transformar un software secuencial en uno paralelo, es costoso y difícil, lo cual constituye solo dos de los muchos obstáculos técnicos y económicos que se tienen que enfrentar cuando se desea hacer uso de sistemas HPC. En este trabajo investigamos la posibilidad de mejorar de forma rápida y eficiente el desempeño de un código numérico secuencial que se encarga de realizar la simulación del comportamiento y transporte de un flujo de electrones en un dispositivo semiconductor MOSFET doble puerta y de escala nanométrico. Se  introduce el modelo Drift-Diffusion- Schrödinger-Poisson (DDSP) y se estudia una estrategia de paralelización rápida del procedimiento numérico, óptimo específicamente para arquitecturas a memoria compartida.
dc.format.extent231-248
dc.relation.ispartofRevista de Matemática: Teoría y Aplicaciones Vol. 18 Núm. 2 2011
dc.titleParallelization of a Quantum-Classic Hybrid Model For Nanoscale Semiconductor Devices
dc.titleParalelización del modelo Híbrido Clásico-Cuántico para un Dispositivo Semiconductor Mosfet Nanométrico
dc.typeartículo científico
dc.date.updated2015-05-19T18:59:45Z
dc.language.rfc3066es
dc.identifier.doi10.15517/rmta.v18i2.2096


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